场效应管中英文对照表
在表中,收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家出产的结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场次晶体管(MOSFET)、肖特基势垒操控栅场效应晶体管(SB)、金属半导体场效应晶体管(MES)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、静电感应晶体管(SIT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等归于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等,类型达数万种之多。每种类型的场效应晶体管都示出其首要出产厂商、资料与极性、外型与管脚摆放、用处与首要特性参数。一起还在补白栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管类型,其间含国产场效应晶体管类型。
表中所列各种场效应晶体管类型按英文字母和阿拉伯数字顺序摆放。同一类型的场效应晶体类型编为一组,处于同一格子内,不必细线.厂家栏
本栏目注明各场效应晶体管的资料和极性,没有注明资料的均为SI资料,特别类型的场效应晶体管也在这一栏中阐明。
依据本栏中所给出的外形图序号,可在书末的外形与管脚摆放图中查到该类型场效应晶体管的外形与管脚摆放方法,但不考虑管子尺度巨细。注明P-DIT的为塑料封装双列直插式外形,CER-DIP的为陶瓷封装双列直插式外形,CHIP的为小型片状,SMD或SO的为外表封装,SP的为特别外形,LLCC为无引线陶瓷片载体,WAFER的为裸芯片。
本栏中介绍了各种场效应晶体管的首要用处及技能特性参数。关于MOSFET增加了MOS-DPI表明增强型金属氧化物场效应晶体管或许MOS-ENH表明增强型金属氧化物场效应晶体管,没有注明的即结型场效应晶体管
技能特性参数列出极限参和特征参数,其间电压值:结型场效应晶体管为栅极间极电压Vgds或Vgdo,MOS场效应晶体管(含MES、HEMT)一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压(基极和发射极短路)V(br)ces;电流值:耗尽型(含结型)为最大漏极电流Idss,增强型为漏极极限电流Id,IGBT晶体管为集电极最大直流电流Ic;功率值:一般为漏极耗散功率Pd,高频功率管有的列出漏极最大输出功率Po,IGBT晶体管为集电极耗散功率Pc,单位为W或DBM;
场效应管高频运用的频率值:一般为特征频率Ft,有的为最高振动频率FO;开关运用及功率MOS场效应管电阻值为漏极-源极间的导通电阻Rds,记为Ron,单位Ω;开关时刻:/(斜线)前为导通时刻Ton,/后为关断时刻Toff,部分开关时刻为上升时刻Tr,和下降时刻Tf,IGBT晶体管/斜钱前为延迟时刻与上升时刻之和td+tr,/后为下降时刻TR;低噪声的噪声特性参数用噪声系数NF(DB)或输入换算噪声电压En(VN)表明;关于对管列有表明对称性参数的栅源短路时的漏极电流之比⊿或栅源电压差⊿VGS或栅极电流差⊿JG;跨导值:表明扩大才能的参数,多为最大跨导GM,单位MS(毫西门子);栅走漏电流值:表明输入阻抗特怕的能数,记为IGSS,单位NA或PA;夹断电压:表明关断行断特性的参数,记为VP,,单位V。
本栏列出特性类似,可供代换的世界各国场效应晶体管类型,含国产场效应晶体管。这些类型的场效应晶体管一般都可以代换相应榜首栏(类型栏)的场效应晶体管。这些管子大都可直接代换,但有单个类型的场效应晶体管因外形或管脚摆放不同,不能直接代换运用,须加以留意。不过,这些场效应晶体管的首要技能能数与被代换场效应晶体管都比较挨近。
这一栏里还对一些特别的特性、参数以补白的方式进行阐明。其间KOMPL(有时排印为KPL.)后的场效应晶体管为榜首栏晶体管的互补管。注明INTEGR.D.的表明管内含有复合二极管。对组件注有XN中N为组件中的器材数目。